紧抓AI大趋势，三星美光积极筹备HBM扩建计划

发布时间：2023-11-08 11:00:14 所属栏目：外闻来源：网络

导读： 　　在消费级存储市场不景气的背景下，高带宽存储器（HBM）技术成了一种新的推动力。根据最新报告，三星和美光正积极计划扩大HBM DRAM的规模。

　　最新报道称三星电子耗资 105 亿韩

　　在消费级存储市场不景气的背景下，高带宽存储器（HBM）技术成了一种新的推动力。根据最新报告，三星和美光正积极计划扩大HBM DRAM的规模。

　　最新报道称三星电子耗资 105 亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大 HBM 产能。三星电子还计划再投资 7000 亿至 1 万亿韩元，用于新建新的封装线。

　　目前的三星正在积极开发 HBM4，三星的目标之一是希望到未来的2025 年推出。据悉，三星电子正在积极开发 HBM4 的各种技术，包括针对高温热特性和混合键合（HCB）优化的非导电胶膜（NCF）组装技术等。

　　美光也在积极筹备 HBM 生产，于 11 月 6 日在台中开设了新工厂。美光表示，这个新设施将集成先进的测试和封装功能，并将致力大规模生产 HBM3E 以及其他产品。此次扩展旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。

　　美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 透露，该公司计划在 2024 年初开始大量出货 HBM3E。美光的 HBM3E 技术目前正在接受 NVIDIA 的认证。最初的 HBM3E 产品将采用 8-Hi 堆栈设计，容量为 24GB，带宽超过 1.2TB / s。gb，带宽超过1.2tb/s。美光表示，hbm3e的性能将比现有的hbm3提高50%以上。

（编辑：晋中站长网）

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