威兆半导体携第三代半导体SiC MOS亮相第二十四届高交会，满足汽车级应用目标

中国国际高新技术成果交易会（简称高交会）由中华人民共和国商务部、科学技术部、工业和信息化部、国家发展和改革委员会、农业部、国家知识产权局、中国科学院、中国工程院等部委和深圳市人民政府共同举办，每年在深圳举行，是目前中国规模最大、最具影响力的科技类展会新科技应用，有“中国科技第一展”之称。

11月15日，第二十四届中国国际高新技术成果交易会将在深圳开幕，本届高交会以“科技改革驱动创新，科技创新驱动发展”为主题，为期5天。自1999年创办以来，高交会都为科创企业提供最佳展示舞台，深圳各区科技展团将围绕深圳市“20+8”产业集群和未来产业布局规划，集中力量组织各产业的优秀科技企业进行展示。

今年特设“专精特新”优秀企业展示专区，集中展示深圳市近年培育的专精特新中小企业和专精特新小巨人企业，聚焦深圳市推动创新创业高质量在发展战略布局下形成的“专精特新”新模式与新业态，向全球展示深圳以科创驱动增强经济发展的质量和韧性。威兆半导体作为国家级专精特新重点“小巨人”企业应邀亮相深圳“专精特新”科技创新体验展区。

威兆第三代半导体SIC MOS将首次亮相

高交会一向是各类高新技术的“赛马场”，威兆半导体将向观众展出第三代半导体SIC_MOS 1200V80mΩ_HCC*120R080H1，可满足不同客户和应用需求采用了TO-247和TO-247-4pin封装。该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术技术，具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好，可靠性高等特点。产品依据AEC-Q101标准进行可靠性考核，以满足汽车级应用为目标，可完美适配车载OBC等应用领域。

功率半导体器件作为各类电力转换装置系统中最基本也是最重要的元件，它的性能对整个系统的性能起着关键性作用。目前基于硅材料的各种结构功率器件的极限性能几乎已被充分挖掘。在进一步追求更优异的功率器件时，就需要依靠新技术和新材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等；它们可以实现更高的效率、更高的功率密度和更好的可靠性。SiC和GaN都属于第三代宽禁带半导体材料，因材料特性拥有巨大发展潜力，可满足应用系统下一阶段的发展需求。

车载OBC的应用

单相OBC功率功率一般做到3.3KW、6.6kW；采用三相输入可以将功率提升到11kW，可大幅提升充电速度，缓解新能源车主充电焦虑。OBC拓扑一般为两级电路：前级为PFC即功率因数校正电路，用来实现电网交流电压变为直流电压；根据实际设计需求不同，可采用多级电路并联进行扩容。单相输入一般采用BOOST结构，可使用650V系列功率半导体器件；三相一般采用VIENNA结构，建议使用1200V系列功率半导体器件。后级为DC/DC电路，实现PFC输出直流电压转换为新能车所需的充电电压。如果动力电池电压平台小于500V，建议使用650V系列功率半导体器件；如果高于500V，建议使用1200V系列功率半导体器件。

（编辑：晋中站长网）

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